Produktfoto:
Produktparameter :
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Parameter
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Symbol
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Bedingungen
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Wert
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Einheit
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Kollektor-Emitter-Spannung
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VCES
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VGE=0V, IC =1mA, TVJ=25ºC
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1200
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V
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Kontinuierlicher Kollektorstrom
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IC
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TC=80ºC, Tvjmax=175ºC
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20
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A
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Spitzenstrom Des Kollectors
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ICRM
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tp = 1ms
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100
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A
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Gate-Emitter-Spannung
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VGES
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TVJ=25ºC
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±20
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V
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Gesamtstromableitung (IGBT-Wechselrichter)
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Ptot
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TC=25ºC
Tvjmax=175ºC
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280
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W
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Funktionen
Gehäuse mit geringer Induktivität
Geringe Schaltverluste
Integrierter NTC-Temperatursensor
Isolierte Grundplatte
Niedriger VCE(Sat) mit Planner-Technologie
VCE(Sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Einschließlich schneller und weicher Wiederherstellung anti-paralleler FWD
Hohe Kurzschlussfestigkeit (10us)
Modulstruktur mit niedriger Induktivität
Maximale Abzweigtemperatur 175ºC
Vorteile
Höherer Ausgangsstrom des Inverters bei gleicher Rahmengröße
Reduzierte Systemkosten durch Vereinfachung der Wechselrichtersysteme
Einfache und zuverlässige Montage
Hohe Zuverlässigkeit zwischen Verbindungen
Geeignet für Einpressen und Löten
Anwendungen
Nutzfahrzeug-, Bau- und Landtechnik (CAV)
Motorsteuerung und Antriebe
Lösungen für Solaranlagen
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Schweißgerät mit weicher Schalteinrichtung
AC- und DC-Servoverstärker
E63 IGBT-Modul ist eines der weltweit beliebtesten IGBT-Pakete und wird in vielen verschiedenen Anwendungen eingesetzt, wie zum Beispiel Allzweckantriebe, Nutzfahrzeug, Bau- und Landfahrzeuge sowie eBus, Solar, Wind, Traktion, USV und schließlich, Übertragung und Verteilung. In der neuesten Modulgeneration ist es nun möglich, den Modulstrom auf 75 A zu erhöhen.Dies ist durch die neue IGBT7-Technologie möglich, die eine höhere Leistungsdichte und reduzierte Stücklistenkosten ermöglicht.
Schaltplan
Paketzeichnung
Produkte der Serie E53:
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Modell
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Vces (V)
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IC (T=80)(A)
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VCE(Sat) Tj=125ºC
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Eon+EOF(Tj=125)(mj)
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RthJC (KW)
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WGL10P65E65
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650
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10
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1,85
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0,52
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1,43
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WGL15P65E65
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650
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15
|
1,85
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0,68
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1,24
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WGL25P65E65
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650
|
25
|
1,85
|
1,12
|
0,95
|
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WGL35P65E65
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650
|
35
|
1,85
|
1,63
|
0,67
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WGL40P65E65
|
650
|
40
|
1,85
|
3,15
|
0,59
|
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WGL15P120E65
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1200
|
15
|
1,85
|
2,57
|
0,87
|
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WGL25P120E65
|
1200
|
25
|
1,85
|
4,56
|
0,66
|
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WGL35F120E65
|
1200
|
35
|
1,85
|
6,27
|
0,42
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WGL50F120E65
|
1200
|
50
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1,85
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10,45
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0,39
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FAQ:
1.Warum ist der IGBT für 175ºC-Überlastung spezifiziert?
Der CETC IGBT ist für den Betrieb bei einer Dauertemperatur von 175 Grad entwickelt Die Überlastbegrenzung ist vom Paket vorgegeben. Die meisten Anwendungen sind mit einem Überlastprofil ausgelegt und hier passt der IGBT perfekt. Der CETC IGBT bietet die geringsten statischen Verluste.
2.How, um die hohe Gate-Ladung für IGBT Datenblatt angegeben behandeln?
Die im Datenblatt angegebene Gate-Ladung ist für einen Betrieb mit VGE von ± 20 V ausgelegt.die meisten Kunden verwenden VGE im Bereich von +5,4 V bis +7 V. Hier ist die Gate-Ladung deutlich niedriger und mit diesem Wert können typische Schaltfrequenzen mit Standardantrieben angesprochen werden.
3.Technischer Support
Damit wir Ihre Anfrage so effizient wie möglich bearbeiten und sicherstellen können, dass Ihr Fall ordnungsgemäß gemeldet wird, bitten wir Sie, Ihre Anfrage über unser Service-Team zu stellen.