Produktfoto: 



Produktparameter : 


Parameter
|

Symbol
|

Bedingungen
|

Wert
|


Einheit 

|

Kollektor-Emitter-Spannung
|

VCES
|

VGE=0V, IC =1mA, TVJ=25ºC
|

1200
|

V
|

Kontinuierlicher Kollektorstrom
|

IC
|

TC=80ºC, Tvjmax=175ºC
|

200
|

A
|

Spitzenstrom Des Kollectors
|

ICRM
|

tp = 1ms
|

400
|

A
|

Gate-Emitter-Spannung
|

VGES
|

TVJ=25ºC
|

±20
|

V
|

Gesamtstromableitung (IGBT-Wechselrichter)
|

Ptot
|

TC=25ºC 
Tvjmax=175ºC
|

1358
|

W
|




Funktionen 
Gehäuse mit geringer Induktivität 
Geringe Schaltverluste 
Vergoldeter Stift. 
Isolierte Grundplatte 
Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie 
VCE(Sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten 
Inklusive ultraschneller und weicher Rückgewinnung gegen parallele FWD 
Hohe Kurzschlussfestigkeit (10us) 
Modulstruktur mit niedriger Induktivität 
Maximale Abzweigtemperatur 175ºC 
Vorteile 
Höherer Ausgangsstrom des Inverters bei gleicher Rahmengröße 
Reduzierte Systemkosten durch Vereinfachung der Wechselrichtersysteme 
Einfache und zuverlässige Montage 
Hohe Zuverlässigkeit zwischen Verbindungen 
Geeignet für Einpressen und Löten 
Anwendungen 
Hochfrequenztreiber 
Motorsteuerung und Antriebe 
Lösungen für Solaranlagen 
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) 
Schweißgerät mit weicher Schalteinrichtung 
AC- und DC-Servoverstärker 
SVG 
E63 IGBT-Modul ist eines der weltweit beliebtesten IGBT-Pakete und wird in vielen verschiedenen Anwendungen eingesetzt, wie zum Beispiel Allzweckantriebe, Nutzfahrzeug, Bau- und Landfahrzeuge sowie eBus, Solar, Wind, Traktion, USV und schließlich, Übertragung und Verteilung. In der neuesten Modulgeneration ist es nun möglich, den Modulstrom auf 75 A zu erhöhen.Dies ist durch die neue IGBT7-Technologie möglich, die eine höhere Leistungsdichte und reduzierte Stücklistenkosten ermöglicht. 

Schaltplan 



Paketzeichnung 




 Produkte der Serie E53: 


Modell
|

Vces (V)
|

IC (T=80)(A)
|

VCE(Sat) Tj=125ºC
|

Eon+EOF(Tj=125)(mj)
|

RthJC (KW)
|

WGL200B60F45
|

600
|

200
|

1,45
|

11,02
|

0,21
|

WGL300B60F45
|

600
|

300
|

1,45
|

15,01
|

0,15
|

WGL400B60F45
|

600
|

400
|

1,45
|

17,96
|

0,11
|

WGL600B60F45
|

600
|

600
|

1,45
|

33,25
|

0,09
|

WGF200B60F45
|

600
|

200
|

2,8
|

13,49
|

0,11
|

WGF300B60F45
|

600
|

300
|

2,8
|

21,38
|

0,10
|

WGF400B60F45
|

600
|

400
|

2,8
|

28,5
|

0,08
|

WGL200B65F45
|

650
|

200
|

1,45
|

12,02
|

0,21
|

WGL300B65F45
|

650
|

300
|

1,45
|

16,01
|

0,15
|

WGL400B65F45
|

650
|

400
|

1,45
|

19,23
|

0,11
|

WGL600B65F45
|

650
|

600
|

1,45
|

36,35
|

0,09
|

WGL100B120F45
|

1200
|

100
|

1,9
|

17,48
|

0,14
|

WGL150B120F45
|

1200
|

150
|

1,9
|

34,20
|

0,11
|

WGL200B120F45
|

1200
|

200
|

1,9
|

37,05
|

0,10
|

WGL300B120F45
|

1200
|

300
|

1,9
|

60,60
|

0,08
|

WGL400B120F45
|

1200
|

400
|

1,9
|

80,75
|

0,05
|

WGL450B120F45
|

1200
|

450
|

1,9
|

90,10
|

0,04
|




FAQ: 
1.Warum ist der IGBT für 175ºC-Überlastung spezifiziert? 

Der CETC IGBT ist für den Betrieb bei einer Dauertemperatur von 175 Grad entwickelt Die Überlastbegrenzung ist vom Paket vorgegeben. Die meisten Anwendungen sind mit einem Überlastprofil ausgelegt und hier passt der IGBT perfekt. Der CETC IGBT bietet die geringsten statischen Verluste. 


2.How, um die hohe Gate-Ladung für IGBT Datenblatt angegeben behandeln? 

Die im Datenblatt angegebene Gate-Ladung ist für einen Betrieb mit VGE von ± 20 V ausgelegt.die meisten Kunden verwenden VGE im Bereich von +5,4 V bis +7 V. Hier ist die Gate-Ladung deutlich niedriger und mit diesem Wert können typische Schaltfrequenzen mit Standardantrieben angesprochen werden. 

3.Technischer Support 

Damit wir Ihre Anfrage so effizient wie möglich bearbeiten und sicherstellen können, dass Ihr Fall ordnungsgemäß gemeldet wird, bitten wir Sie, Ihre Anfrage über unser Service-Team zu stellen.