IGBT-Module der Serie F45 ersetzen Infineon-Produkte

Modell Nr.
WGF200B120F45
Modell
Wgf200b120f45
Chargennummer
2023+
Marke
Cetc
Schlüsselmaterial
Sic
Transportpaket
Carton
Spezifikation
L106.4*W62mm
Herkunft
Cn
HS-Code
8504409190
Referenzpreis
$ 52.20 - 61.20

Produktbeschreibung

Produktfoto: Produktparameter :  
Parameter Symbol Bedingungen Wert Einheit  
Kollektor-Emitter-Spannung VCES VGE=0V, IC =1mA, TVJ=25ºC 1200 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom IC TC=80ºC, Tvjmax=175ºC 200 A
Spitzenstrom Des Kollectors ICRM tp = 1ms 400 A
Gate-Emitter-Spannung VGES TVJ=25ºC ±20 V
Gesamtstromableitung (IGBT-Wechselrichter)   Ptot TC=25ºC Tvjmax=175ºC 1358 W
Funktionen Gehäuse mit geringer Induktivität Geringe Schaltverluste Vergoldeter Stift. Isolierte Grundplatte Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie VCE(Sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten Inklusive ultraschneller und weicher Rückgewinnung gegen parallele FWD Hohe Kurzschlussfestigkeit (10us) Modulstruktur mit niedriger Induktivität Maximale Abzweigtemperatur 175ºC Vorteile Höherer Ausgangsstrom des Inverters bei gleicher Rahmengröße Reduzierte Systemkosten durch Vereinfachung der Wechselrichtersysteme Einfache und zuverlässige Montage Hohe Zuverlässigkeit zwischen Verbindungen Geeignet für Einpressen und Löten Anwendungen Hochfrequenztreiber Motorsteuerung und Antriebe Lösungen für Solaranlagen Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) Schweißgerät mit weicher Schalteinrichtung AC- und DC-Servoverstärker SVG E63 IGBT-Modul ist eines der weltweit beliebtesten IGBT-Pakete und wird in vielen verschiedenen Anwendungen eingesetzt, wie zum Beispiel Allzweckantriebe, Nutzfahrzeug, Bau- und Landfahrzeuge sowie eBus, Solar, Wind, Traktion, USV und schließlich, Übertragung und Verteilung. In der neuesten Modulgeneration ist es nun möglich, den Modulstrom auf 75 A zu erhöhen.Dies ist durch die neue IGBT7-Technologie möglich, die eine höhere Leistungsdichte und reduzierte Stücklistenkosten ermöglicht. Schaltplan Paketzeichnung  Produkte der Serie E53:  
Modell Vces (V) IC (T=80)(A) VCE(Sat) Tj=125ºC Eon+EOF(Tj=125)(mj) RthJC (KW)
WGL200B60F45 600 200 1,45 11,02 0,21
WGL300B60F45 600 300 1,45 15,01 0,15
WGL400B60F45 600 400 1,45 17,96 0,11
WGL600B60F45 600 600 1,45 33,25 0,09
WGF200B60F45 600 200 2,8 13,49 0,11
WGF300B60F45 600 300 2,8 21,38 0,10
WGF400B60F45 600 400 2,8 28,5 0,08
WGL200B65F45 650 200 1,45 12,02 0,21
WGL300B65F45 650 300 1,45 16,01 0,15
WGL400B65F45 650 400 1,45 19,23 0,11
WGL600B65F45 650 600 1,45 36,35 0,09
WGL100B120F45 1200 100 1,9 17,48 0,14
WGL150B120F45 1200 150 1,9 34,20 0,11
WGL200B120F45 1200 200 1,9 37,05 0,10
WGL300B120F45 1200 300 1,9 60,60 0,08
WGL400B120F45 1200 400 1,9 80,75 0,05
WGL450B120F45 1200 450 1,9 90,10 0,04
FAQ: 1.Warum ist der IGBT für 175ºC-Überlastung spezifiziert? Der CETC IGBT ist für den Betrieb bei einer Dauertemperatur von 175 Grad entwickelt Die Überlastbegrenzung ist vom Paket vorgegeben. Die meisten Anwendungen sind mit einem Überlastprofil ausgelegt und hier passt der IGBT perfekt. Der CETC IGBT bietet die geringsten statischen Verluste. 2.How, um die hohe Gate-Ladung für IGBT Datenblatt angegeben behandeln? Die im Datenblatt angegebene Gate-Ladung ist für einen Betrieb mit VGE von ± 20 V ausgelegt.die meisten Kunden verwenden VGE im Bereich von +5,4 V bis +7 V. Hier ist die Gate-Ladung deutlich niedriger und mit diesem Wert können typische Schaltfrequenzen mit Standardantrieben angesprochen werden. 3.Technischer Support Damit wir Ihre Anfrage so effizient wie möglich bearbeiten und sicherstellen können, dass Ihr Fall ordnungsgemäß gemeldet wird, bitten wir Sie, Ihre Anfrage über unser Service-Team zu stellen.  

 

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